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首页 全部分类 TK4P60DA(T6RSS-Q) vs STD4N62K3

TK4P60DA(T6RSS-Q)备选型号: STD4N62K3

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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK4P60DA(T6RSS-Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    π-MOSVII
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    80W
    N-Channel
    2.2 Ω @ 1.8A, 10V
    4.4V @ 1mA
    490pF @ 25V
    11nC @ 10V
    18ns
    600V
    ±30V
    8 ns
    3.5A
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD4N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.8A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SuperMESH3™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    70W
    N-Channel
    1.95 Ω @ 1.9A, 10V
    4.5V @ 50μA
    450pF @ 50V
    14nC @ 10V
    9ns
    -
    ±30V
    19 ns
    3.8A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    2
    EAR99
    1.95Ohm
    鸥翼
    STD4N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    3.75V
    620V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
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