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首页 全部分类 TK6A80E,S4X vs FDPF8N60ZUT

TK6A80E,S4X备选型号: FDPF8N60ZUT

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK6A80E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    6.000006g
    6A Ta
    4V @ 600μA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    1
    Single
    55 ns
    N-Channel
    1.7 Ω @ 3A, 10V
    1350pF @ 25V
    32nC @ 10V
    20ns
    800V
    ±30V
    15 ns
    6A
    30V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF8N60ZUT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    2.27g
    34.5W Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    20 ns
    N-Channel
    1.35 Ω @ 3.25A, 10V
    1265pF @ 25V
    26nC @ 10V
    30ns
    -
    ±30V
    35 ns
    6.5A
    30V
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    增强型MOSFET
    34.5W
    ISOLATED
    SWITCHING
    5V
    TO-220AB
    600V
    26A
    420 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    无
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