Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E,S4X

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

质量

6.000006g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

85 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 600μA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

π-MOSVIII

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

55 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.7 Ω @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

RoHS状态

符合RoHS标准