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首页 全部分类 TK8A50D(STA4,Q,M) vs FQPF9N50CT

TK8A50D(STA4,Q,M)备选型号: FQPF9N50CT

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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 质量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK8A50D(STA4,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
    16 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    40W Tc
    2010
    π-MOSVII
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    850m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 1mA
    800pF @ 25V
    16nC @ 10V
    20ns
    500V
    ±30V
    12 ns
    8A
    30V
    8A
    0.85Ohm
    500V
    165 mJ
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF9N50CT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
    -
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    -
    9A Tc
    2003
    QFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    800m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1030pF @ 25V
    35nC @ 10V
    65ns
    -
    ±30V
    64 ns
    9A
    30V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    2.27g
    500V
    9A
    Single
    44W
    500V
    无铅
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