Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D(STA4,Q,M)

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

已出版

2010

系列

π-MOSVII

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.85Ohm

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

165 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无