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首页 全部分类 TK9A90E,S4X vs STF10N65K3

TK9A90E,S4X备选型号: STF10N65K3

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  • 输入电容
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK9A90E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    6.000006g
    9A Ta
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    80 ns
    N-Channel
    1.3Ohm @ 4.5A, 10V
    4V @ 900μA
    2000pF @ 25V
    46nC @ 10V
    40ns
    900V
    ±30V
    35 ns
    9A
    30V
    2nF
    1Ohm
    1.3 Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STF10N65K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    -
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    14.5 ns
    N-Channel
    1 Ω @ 3.6A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1180pF @ 25V
    42nC @ 10V
    14ns
    -
    ±30V
    35 ns
    10A
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    STF10N
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    ISOLATED
    SWITCHING
    3V
    TO-220AB
    0.85Ohm
    650V
    40A
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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