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首页 全部分类 TL081CN vs LF356N/NOPB

TL081CN备选型号: LF356N/NOPB

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  • 平均偏置电流-最大值 (IIB)
  • 低偏移
  • 频率补偿
  • 电压 - 输入断态
  • 低偏压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 最大输出电流
  • 带宽
  • 电源抑制比
  • 结算时间
  • 微功率
  • 可编程电源
  • 双电源电压
  • 输入失调电流-最大值(IIO)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 环境温度范围高
  • 器件厚度
  • STMicroelectronics
    TL081CN
    STMicroelectronics
    IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    2.5mA
    0°C~70°C
    Tube
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    18V
    DUAL
    1
    2.54mm
    TL081
    1
    680mW
    40mA
    1.4mA
    16V/μs
    VOLTAGE-FEEDBACK
    J-FET
    70 dB
    20pA
    6V~36V ±3V~18V
    40mA
    10mV
    -15V
    4000 kHz
    106.02dB
    0.02μA
    NO
    YES
    3mV
    YES
    0.0004μA
    3.3mm
    9.27mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    LF356N/NOPB
    Texas Instruments
    IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    5mA
    0°C~70°C
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    15V
    DUAL
    1
    2.54mm
    LF356
    1
    670mW
    25mA
    5mA
    12V/μs
    VOLTAGE-FEEDBACK
    J-FET
    80 dB
    30pA
    ±15V
    25mA
    3mV
    -15V
    5000 kHz
    106.02dB
    0.0002μA
    NO
    YES
    -
    YES
    0.0002μA
    5.08mm
    9.81mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6 Weeks
    Tin
    4.535924g
    BI-FET™
    yes
    670mW
    25mA
    5MHz
    80dB
    1.5 μs
    NO
    NO
    15V
    0.00005μA
    100°C
    70°C
    3.9mm
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