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首页 全部分类 TN5325K1-G vs IRLML2030TRPBF

TN5325K1-G备选型号: IRLML2030TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Microchip Technology
    TN5325K1-G
    Microchip Technology
    Mosfet; N-channel Enhancement-mode; 250V; 7.0 OHM3 SOT-23T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.437803g
    SILICON
    150mA Ta
    -55°C~150°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    360mW
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 1A, 10V
    2V @ 1mA
    110pF @ 25V
    15ns
    ±20V
    15 ns
    150mA
    20V
    7Ohm
    250V
    950μm
    2.9mm
    1.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2030TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    2.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    4.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.7A, 10V
    2.3V @ 25μA
    110pF @ 15V
    3.3ns
    ±20V
    2.9 ns
    2.7A
    20V
    -
    30V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    100MOhm
    1nC @ 4.5V
    1.7V
    2.2A
    11A
    14 ns
    1.7 V
    无SVHC
    无
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