ON Semiconductor CPH3461-TL-W

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)

工厂交货时间

11 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

350mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5 Ω @ 170mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.1nC @ 4.5V

上升时间

7.3ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

43 ns

连续放电电流(ID)

350mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.35A

漏极-源极导通最大电阻

7.2Ohm

DS 击穿电压-最小值

250V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅