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首页 全部分类 TP2104K1-G vs BSS138Q-7-F

TP2104K1-G备选型号: BSS138Q-7-F

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  • 终端形式
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  • 通道数量
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • Microchip Technology
    TP2104K1-G
    Microchip Technology
    MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
    5 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.437803g
    SILICON
    160mA Tj
    -55°C~150°C
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低阈值
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    360mW
    4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    6 Ω @ 500mA, 10V
    2V @ 1mA
    60pF @ 25V
    4ns
    40V
    ±20V
    4 ns
    160mA
    20V
    6Ohm
    -40V
    950μm
    2.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BSS138Q-7-F
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    200mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    -
    增强型MOSFET
    300mW
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 220mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    50pF @ 10V
    10ns
    50V
    ±20V
    25 ns
    200mA
    20V
    -
    75V
    1.1mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    yes
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.2A
    150°C
    8 pF
    无SVHC
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