ON Semiconductor SBSS84LT1G

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

12 ns

Power Dissipation (Max)

225mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225mW

接通延迟时间

3.6 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10 Ω @ 100mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

36pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.2nC @ 10V

上升时间

9.7ns

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1.7 ns

连续放电电流(ID)

-130mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-50V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.11mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅