您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 TP2104K1-G vs IRLML5103TRPBF

TP2104K1-G备选型号: IRLML5103TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TP2104K1-G
    Microchip Technology
    MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
    5 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.437803g
    SILICON
    160mA Tj
    -55°C~150°C
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低阈值
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    360mW
    4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    6 Ω @ 500mA, 10V
    2V @ 1mA
    60pF @ 25V
    4ns
    40V
    ±20V
    4 ns
    160mA
    20V
    6Ohm
    -40V
    950μm
    2.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML5103TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    760mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    Single
    增强型MOSFET
    540mW
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 600mA, 10V
    1V @ 250μA
    75pF @ 25V
    8.2ns
    -
    ±20V
    16 ns
    -760mA
    20V
    -
    -30V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    -
    ROHS3 Compliant
    Micro(SOT23)
    HEXFET®
    SMD/SMT
    600mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -30V
    -610mA
    不合格
    5.1nC @ 10V
    -1V
    0.76A
    -30V
    -1 V
    30V
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SBSS84LT1G SBSS84LT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23 对比
BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 对比