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TP2640N3-G备选型号: BS250P
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 触点镀层
- 无铅代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- JEDEC-95代码
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-314 WeeksTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)通孔通孔3219.992299mgSILICON2V @ 1mA60 ns2009Bulk-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)逻辑电平兼容BOTTOM1Single增强型MOSFET1W10 nsP-ChannelSWITCHING15 Ω @ 300mA, 10V300pF @ 25V15ns400V±20V40 ns180mA20V-400V4.19mm5.21mm5.33mmROHS3 Compliant无------------- MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE17 WeeksE-Line-3通孔通孔3453.59237mgSILICON3.5V @ 1mA230mA Ta2006Bulk-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)3EAR99--BOTTOM1Single增强型MOSFET700mW-P-Channel-14 Ω @ 200mA, 10V60pF @ 10V-45V±20V-230mA20V-2.41mm4.77mm4.01mmROHS3 Compliant-Tinyes14Ohm-45VWIRE260-230mA40不合格TO-92无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BS250P | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | E-Line-3 | MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE | 对比 |
| ZVP2110A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92 | 对比 |
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