Microchip Technology TP2640N3-G

工厂交货时间

14 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

219.992299mg

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Turn Off Delay Time

60 ns

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180mA Tj

已出版

2009

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

BOTTOM

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15 Ω @ 300mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 25V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

180mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-400V

宽度

4.19mm

长度

5.21mm

高度

5.33mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无