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TPH1R005PL,L1Q备选型号: IPB160N04S3H2ATMA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 45V 150A12 Weeks8-PowerVDFN表面贴装表面贴装88-SOP Advance (5x5)960mW Ta 170W Tc2.4V @ 1mAU-MOSIX-H2016Tape & Reel (TR)175°C TJ活跃1 (Unlimited)N-Channel1.04mOhm @ 50A, 10V9600pF @ 22.5V99nC @ 10V45V±20V150A9.6nF1.04 mΩ符合RoHS标准-------------------------
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-712 WeeksTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)表面贴装表面贴装--160A Tc4V @ 150μAOptiMOS™2007Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel2.1m Ω @ 80A, 10V9600pF @ 25V145nC @ 10V-±20V160A--ROHS3 CompliantSILICONe36EAR99Tin (Sn)超低电阻SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET214WDRAIN30 ns无卤素16ns17 ns20V40V640A898 mJnot_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH175N4F6-2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 | 对比 |
| IPB160N04S3H2ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | 对比 |
 | IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 231W; D2PAK-7 | 对比 |
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