Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R005PL,L1Q
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TPH1R005PL,L1Q
2541-TPH1R005PL,L1Q
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 45V 150A
1最小包装量--
TPH1R005PL,L1Q详情
Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R005PL,L1Q重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
8-PowerVDFN
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOP Advance (5x5)
Power Dissipation (Max)
960mW Ta 170W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
150A Tc
系列
U-MOSIX-H
已出版
2016
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
175°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.04mOhm @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9600pF @ 22.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
99nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
45V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
150A
输入电容
9.6nF
最大rds
1.04 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
TPH1R005PL,L1Q拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
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