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TPH1R005PL,L1Q备选型号: IRFS7437TRLPBF
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 45V 150A12 Weeks8-PowerVDFN表面贴装表面贴装88-SOP Advance (5x5)960mW Ta 170W Tc2.4V @ 1mAU-MOSIX-H2016Tape & Reel (TR)175°C TJ活跃1 (Unlimited)N-Channel1.04mOhm @ 50A, 10V9600pF @ 22.5V99nC @ 10V45V±20V150A9.6nF1.04 mΩ符合RoHS标准-------------------------
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-195A Tc3.9V @ 150μAHEXFET®, StrongIRFET™2012Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)N-Channel1.8m Ω @ 100A, 10V7330pF @ 25V225nC @ 10V-±20V195A--ROHS3 CompliantSILICON2EAR991.8MOhm鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAIN19 nsSWITCHING70ns53 ns3V20V40V802 mJ3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH175N4F6-2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 | 对比 |
 | IPB160N04S3H2ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | 对比 |
 | IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 231W; D2PAK-7 | 对比 |
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