TPR1000备选型号: MDS800
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 增益
- 最高频率
- 频率转换
- 最高频段
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 配置
- 晶体管应用
- Trans GP BJT NPN 65V 80A 5-Pin Case 55KV-1Chassis Mount, Screw底座安装55KV55SILICON65V200°C TJBulk1997e0noObsolete1 (Unlimited)4EAR99锡铅2.9kWDUALFLAT4R-CDFM-F42900WNPNNPN65V80A10 @ 1A 5V6dB1.09GHz1.09GHzL B无符合RoHS标准--
- Trans GP BJT NPN 65V 60A 3-Pin Case 55ST-1Chassis Mount, Screw底座安装55ST-13SILICON65V200°C TJBulk2012e0noObsolete1 (Unlimited)2EAR99锡铅1.458kWDUALFLAT2R-CDFM-F21458WNPNNPN65V60A20 @ 1A 5V8.6dB1.09GHz1.09GHzL B无符合RoHS标准SINGLEAMPLIFIER
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MDS800 | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | 55ST-1 | Trans GP BJT NPN 65V 60A 3-Pin Case 55ST-1 | 对比 | |
![]() | DME375A | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | 55AW | Trans GP BJT NPN 55V 30A 3-Pin Case 55AW-1 | 对比 |




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