Microsemi Corporation TPR1000
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TPR1000
1619-TPR1000
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55KV
大陆
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Trans GP BJT NPN 65V 80A 5-Pin Case 55KV-1
--最小包装量--
TPR1000详情
Microsemi Corporation TPR1000重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55KV
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
2.9kW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
4
JESD-30代码
R-CDFM-F4
功率 - 最大
2900W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
80A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 1A 5V
增益
6dB
最高频率
1.09GHz
频率转换
1.09GHz
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TPR1000拓展信息

















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