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TTC008(Q)备选型号: TTC012(Q)

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包装
操作温度
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
功率耗散
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
最大集极截止电流
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
集电极基极电压(VCBO)
发射极基极电压 (VEBO)
RoHS状态
辐射硬化
无铅

TTC008(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS NPN 285V 1.5A PW MOLD2

18 Weeks
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
通孔
通孔
3
1
2010
Bulk
150°C TJ
活跃
1 (Unlimited)
1.1W
NPN
1V
1.5A
80 @ 1mA 5V
10μA ICBO
1V @ 62.5mA, 500mA
600V
7V
符合RoHS标准
无
无铅
TTC012(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS NPN 375V 2A PW MOLD2

18 Weeks
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
通孔
通孔
3
375V
2011
Bulk
150°C TJ
活跃
1 (Unlimited)
1.1W
NPN
375V
2A
100 @ 300mA 5V
10μA ICBO
1V @ 62.5mA, 500mA
800V
-
符合RoHS标准
无
无铅
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