Toshiba Semiconductor and Storage TTC008(Q)

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.1W

Collector-Emitter Breakdown Voltage

285V

已出版

2010

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

功率耗散

1.1W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 62.5mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

600V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅