ULN2003AIN备选型号: ULN2003ANE4
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出电压
- 极性
- 配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- JEDEC-95代码
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 驱动器数量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- VCEsat-最大值
- TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AIN. DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, DIPACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 WeeksGold通孔通孔16-DIP (0.300, 7.62mm)16951.693491mgSILICON50V1.1V-40°C~105°C TATubeAutomotive, AEC-Q100e3活跃1 (Unlimited)16EAR99Matte Tin (Sn)逻辑电平兼容8541.29.00.9550VDUAL500mAULN20031650VNPNCOMPLEXSWITCHING7 NPN Darlington50V500mA50μAMS-001BB1.6V @ 500μA, 350mA75.08mm19.3mm6.35mm3.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--
- Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks-通孔通孔16-DIP (0.300, 7.62mm)16951.693491mgSILICON50V1.1V-20°C~70°C TATubeAutomotive, AEC-Q100e4活跃1 (Unlimited)16EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)逻辑电平兼容8542.39.00.01-DUAL-ULN20031650VNPNCOMPLEXSWITCHING7 NPN Darlington50V500mA50μAMS-001BB1.6V @ 500μA, 350mA-5.08mm19.3mm6.35mm3.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅yes1.6 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ULN2003ANE4 | Texas Instruments | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP | 对比 |
![]() | ULN2004AN | Texas Instruments | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | DARLINGTON ARRAY 7NPN, 2004, DIP16 - More Details | 对比 |



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