Texas Instruments ULN2003ANE4
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ULN2003ANE4
2502-ULN2003ANE4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
16-DIP (0.300, 7.62mm)
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Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
--最小包装量--
ULN2003ANE4详情
Texas Instruments ULN2003ANE4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
16-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
16
质量
951.693491mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1V
Number of Elements
7
操作温度
-20°C~70°C TA
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q100
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8542.39.00.01
端子位置
DUAL
基本部件号
ULN2003
引脚数量
16
输出电压
50V
极性
NPN
配置
COMPLEX
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
7 NPN Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
500mA
最大集极截止电流
50μA
JEDEC-95代码
MS-001BB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 500μA, 350mA
VCEsat-最大值
1.6 V
高度
5.08mm
长度
19.3mm
宽度
6.35mm
器件厚度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ULN2003ANE4拓展信息
Texas Instruments
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