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ULN2003BDR备选型号: ULN2003ADR

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 制造商包装标识符
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    ULN2003BDR
    Texas Instruments
    Trans Darlington NPN 0.5A 16-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Gold, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    SILICON
    50V
    1.1V
    -40°C~105°C TA
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    ULN2003
    NPN
    COMPLEX
    SWITCHING
    7 NPN Darlington
    1.6V
    500mA
    50μA
    MS-012AC
    1.6V @ 500μA, 350mA
    50V
    1.75mm
    9.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    ULN2003ADR
    Texas Instruments
    Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    SILICON
    50V
    1.1V
    -20°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    ULN2003
    NPN
    COMPLEX
    SWITCHING
    7 NPN Darlington
    50V
    500mA
    50μA
    MS-012AC
    1.6V @ 500μA, 350mA
    -
    1.75mm
    9.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    141.690917mg
    D(R-PDSO-G16)
    逻辑电平兼容
    8541.29.00.95
    50V
    500mA
    16
    50V
    1.6 V
    无SVHC
    无
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