Texas Instruments ULN2003ADR
- 收藏
- 对比
ULN2003ADR
2502-ULN2003ADR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
--最小包装量--
ULN2003ADR详情
Texas Instruments ULN2003ADR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
16
质量
141.690917mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
D(R-PDSO-G16)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1V
Number of Elements
7
操作温度
-20°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q100
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
50V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
基本部件号
ULN2003
引脚数量
16
输出电压
50V
极性
NPN
配置
COMPLEX
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
7 NPN Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
500mA
最大集极截止电流
50μA
JEDEC-95代码
MS-012AC
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 500μA, 350mA
VCEsat-最大值
1.6 V
高度
1.75mm
长度
9.9mm
宽度
3.91mm
器件厚度
1.58mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ULN2003ADR拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments








哦! 它是空的。