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首页 全部分类 UMB3NTN vs UMD6NTR

UMB3NTN备选型号: UMD6NTR

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 最小直流增益（hFE）
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • JESD-609代码
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • ROHM Semiconductor
    UMB3NTN
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    SOT-363
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    8541.21.00.75
    -50V
    150mW
    鸥翼
    260
    -100mA
    10
    6
    PNP
    Dual
    150mW
    SWITCHING
    50V
    100mA
    250MHz
    50V
    100
    0.3 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    UMD6NTR
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    13 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2004
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    8541.21.00.75
    -
    150mW
    鸥翼
    260
    100mA
    10
    6
    NPN, PNP
    Dual
    150mW
    SWITCHING
    50V
    100mA
    250MHz
    50V
    -
    0.3 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    e2
    SMD/SMT
    锡铜
    *MD6
    100mA
    50V
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    100 @ 1mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    5V
    4.7k Ω
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