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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.312027
500
¥0.229435
1000
¥0.191195
2000
¥0.175405
5000
¥0.163933
10000
¥0.152492
15000
¥0.147479
50000
¥0.145014
ROHM Semiconductor UMB3NTN
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- 对比
UMB3NTN
2078-UMB3NTN
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-363
大陆
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
UMB3NTN详情
ROHM Semiconductor UMB3NTN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
最小直流增益(hFE)
100
VCEsat-最大值
0.3 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMB3NTN拓展信息







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