UMZ1NT1备选型号: NSTB60BDW1T1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 漏源击穿电压
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES6SILICON50V250mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e0noObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin/Lead (Sn80Pb20)50V250mW鸥翼240not_compliant200mA30UMZ1N6不合格PNPDual187mWAMPLIFIER114MHzNPN, PNP250mV200mA200 @ 2mA 6V2μA250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA114MHz114MHz 142MHz60V7VNon-RoHS Compliant含铅--------
- TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363OBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-6-50V--Tape & Reel (TR)2002e0noObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)-250mW鸥翼235not_compliant-1mA未说明NSTB60B6不合格NPN, PNPDual187mW--1 NPN Pre-Biased, 1 PNP250mV150mA80 @ 5mA 10V / 120 @ 5mA 10V500nA250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA140MHz140MHz--Non-RoHS Compliant含铅表面贴装150°C-55°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1350V22k Ω-150mA47k Ω
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FJX733YTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R | 对比 | |
![]() | 2PA1774R,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-75, SOT-416 | NXP 2PA1774R,115 Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, -50 V, 100 MHz, 150 mW, -150 mA, 180 hFE | 对比 |
| NSTB60BDW1T1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 | 对比 |



哦! 它是空的。