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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.990881
10
¥0.934795
100
¥0.88188
500
¥0.831964
1000
¥0.784869
ON Semiconductor FJX733YTF
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- 对比
FJX733YTF
1807-FJX733YTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FJX733YTF详情
ON Semiconductor FJX733YTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
包装/外壳
SC-70, SOT-323
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
-180mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
180MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
hFEMin
40
Power Dissipation (Max)
200mW
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-50V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
-150mA
频率
180MHz
基本部件号
FJX733
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
转换频率
180MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
900μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FJX733YTF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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