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UP0487C00L备选型号: RZM001P02T2L
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- 功率 - 最大
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
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- 晶体管元件材料
- 终止次数
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- 端子位置
- 终端形式
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- Reach合规守则
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- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET 2N-CH 20V 100MA SSMINI-6表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666SSMINI6-F1100mA125°C TJTape & Reel (TR)2004Obsolete1 (Unlimited)20V125mW100mA125mW2 N-Channel (Dual)4Ohm @ 10mA, 4V1.3V @ 50μA10pF @ 3V20V100mA10pF逻辑电平门4 Ω符合RoHS标准无铅---------------------
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3表面贴装表面贴装SOT-723-100mA Ta150°C TJCut Tape (CT)2005活跃1 (Unlimited)----P-Channel3.8 Ω @ 100mA, 4.5V1V @ 100μA15pF @ 10V20V100mA---ROHS3 Compliant无铅16 WeeksSILICON3EAR99DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR1增强型MOSFET150W46 nsSWITCHING±10V10V-20V150°C550μm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RZM001P02T2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-723 | MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3 | 对比 |
 | RV1C001ZPT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-SMD, No Lead | MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806 | 对比 |
 | SSM6L35FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 | 对比 |
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