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首页 全部分类 US5U30TR vs NTHS5443T1G

US5U30TR备选型号: NTHS5443T1G

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 附加功能
  • 终端形式
  • ROHM Semiconductor
    US5U30TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
    5
    SILICON
    1A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    -20V
    DUAL
    260
    -1A
    10
    5
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    390m Ω @ 1A, 4.5V
    2V @ 1mA
    150pF @ 10V
    2.1nC @ 4.5V
    8ns
    20V
    ±12V
    10 ns
    1A
    12V
    1A
    0.43Ohm
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    850μm
    2.9mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS5443T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -20V
    DUAL
    260
    -3.6A
    40
    8
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    8.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    -
    12nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    ±12V
    14 ns
    4.9A
    12V
    -
    0.065Ohm
    -20V
    -
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    逻辑电平兼容
    C 弯管
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