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US6T7TR备选型号: 2SB1733TL

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  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最高频率
  • 频率转换
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    US6T7TR
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6
    6-SMD, Flat Leads
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    270
    2007
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    -30V
    1W
    DUAL
    260
    -1.5A
    10
    US6T
    6
    Single
    1W
    AMPLIFIER
    280MHz
    PNP
    PNP
    30V
    1.5A
    270 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    370mV @ 50mA, 1A
    280MHz
    30V
    30V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    2SB1733TL
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 30V 1A TUMT3
    3-SMD, Flat Lead
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    30V
    2013
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    -
    800mW
    DUAL
    260
    -
    10
    2SB1733
    3
    Single
    -
    AMPLIFIER
    400MHz
    PNP
    PNP
    30V
    1A
    270 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    350mV @ 25mA, 500mA
    320MHz
    30V
    -30V
    -6V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    13 Weeks
    Copper, Tin
    -150mV
    100MHz
    320MHz
    820μm
    2.1mm
    1.8mm
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