ROHM Semiconductor US6T7TR

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

270

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

US6T

引脚数量

6

元素配置

Single

功率 - 最大

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

280MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

370mV @ 50mA, 1A

转换频率

280MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅