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US6X6TR备选型号: EMD30T2R

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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 极性
  • 功率耗散
  • 最小直流增益（hFE）
  • 连续集电极电流
  • ROHM Semiconductor
    US6X6TR
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    30V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    30V
    1W
    DUAL
    260
    1.5A
    10
    US6X
    6
    Single
    AMPLIFIER
    300MHz
    NPN
    NPN
    30V
    1.5A
    270 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    350mV @ 50mA, 1A
    300MHz
    30V
    30V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    EMD30T2R
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    表面贴装
    -
    SMD/SMT
    6
    -
    30V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    -
    150mW
    -
    260
    -
    10
    -
    6
    Dual
    SWITCHING
    -
    -
    -
    300mV
    200mA
    -
    -
    -
    260MHz
    30V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    FLAT
    NPN, PNP
    150mW
    30
    -200mA
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