您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 VMK90-02T2 vs STE140NF20D

VMK90-02T2备选型号: STE140NF20D

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    VMK90-02T2
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 200V 83A 7-Pin TO-240AA
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    TO-240AA
    7
    SILICON
    2
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    25MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    380W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    7
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    380W
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    25m Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 3mA
    15000pF @ 25V
    450nC @ 10V
    80ns
    200V
    100 ns
    83A
    20V
    84A
    200V
    330A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STE140NF20D
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    140A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    10mOhm
    Nickel (Ni)
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    4
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    500W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 250μA
    11100pF @ 25V
    338nC @ 10V
    218ns
    -
    250 ns
    140A
    20V
    -
    200V
    560A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    STripFET™ II
    雪崩能源评级
    STE1
    232 ns
    ±20V
    3V
    800 mJ
    3 V
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SD4931 SD4931 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 M174 Trans RF MOSFET N-CH 200V 20A 4-Pin Case M-174 Tray 对比
STAC4933 STAC4933 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 STAC177B MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B 对比
MRFE6VS25LR5 MRFE6VS25LR5 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NI-360 FET VHV6E 25W 50V NI360L 对比