VMK90-02T2备选型号: MRFE6VS25LR5
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- HTS代码
- 频率
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 测试电流
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 增益
- DS 击穿电压-最小值
- 功率 - 输出
- 电压-测试
- Trans MOSFET N-CH 200V 83A 7-Pin TO-240AAChassis Mount, Screw底座安装TO-240AA7SILICON2-40°C~150°C TJBulk2000e1yesObsolete1 (Unlimited)7EAR9925MOhmTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)380WUPPERUNSPECIFIED未说明未说明7不合格COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET380WISOLATED2 N-Channel (Dual)SWITCHING25m Ω @ 500mA, 10V4V @ 3mA15000pF @ 25V450nC @ 10V80ns200V100 ns83A20V84A200V330AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard符合RoHS标准无铅-------------
- FET VHV6E 25W 50V NI360L--NI-360-SILICON1-Tape & Reel (TR)2012--活跃不适用2EAR99---DUALFLAT26040--SINGLE增强型MOSFET----------------METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-ROHS3 Compliant-10 WeeksYES8541.29.00.75512MHzMRFE6VS25R-PDFM-F210mAN-CHANNELLDMOS25.9dB133V25W50V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD4931 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | M174 | Trans RF MOSFET N-CH 200V 20A 4-Pin Case M-174 Tray | 对比 |
![]() | STAC4933 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | STAC177B | MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B | 对比 |
![]() | MRFE6VS25LR5 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | NI-360 | FET VHV6E 25W 50V NI360L | 对比 |






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