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首页 全部分类 VMM45-02F vs MRFE6VS25LR5

VMM45-02F备选型号: MRFE6VS25LR5

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
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  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 测试电流
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 增益
  • DS 击穿电压-最小值
  • 功率 - 输出
  • 电压-测试
  • IXYS
    VMM45-02F
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 200V 45A 6-Pin TO-240AA
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    TO-240AA
    6
    SILICON
    2
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    HiPerFET™
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    190W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    VMM
    7
    R-PUFM-X7
    Dual
    增强型MOSFET
    190W
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 22.5A, 10V
    4V @ 4mA
    7500pF @ 25V
    225nC @ 10V
    45ns
    200V
    45 ns
    45A
    20V
    0.039Ohm
    200V
    180A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MRFE6VS25LR5
    NXP USA Inc.
    FET VHV6E 25W 50V NI360L
    10 Weeks
    -
    -
    NI-360
    -
    SILICON
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    -
    活跃
    不适用
    2
    -
    DUAL
    FLAT
    MRFE6VS25
    -
    R-PDFM-F2
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    EAR99
    8541.29.00.75
    260
    512MHz
    40
    SINGLE
    10mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    25.9dB
    133V
    25W
    50V
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MRFE6VS25LR5 MRFE6VS25LR5 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NI-360 FET VHV6E 25W 50V NI360L 对比