IXYS VMM45-02F

工厂交货时间

24 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-240AA

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

300 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

HiPerFET™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

最大功率耗散

190W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

基本部件号

VMM

引脚数量

7

JESD-30代码

R-PUFM-X7

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 22.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

225nC @ 10V

上升时间

45ns

漏源电压 (Vdss)

200V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

45A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.039Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant