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首页 全部分类 VMM90-09F vs FF450R12KT4HOSA1

VMM90-09F备选型号: FF450R12KT4HOSA1

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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    VMM90-09F
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 900V 85A 9-Pin Y3-Li
    28 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    Y3-Li
    9
    SILICON
    2
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    HiPerFET™
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    UPPER
    UNSPECIFIED
    VMM
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    76m Ω @ 65A, 10V
    5V @ 30mA
    960nC @ 10V
    900V
    85A
    20V
    0.076Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF450R12KT4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 580A 2400W
    14 Weeks
    Panel, Screw
    底座安装
    Module
    7
    -
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    -
    C
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    UPPER
    -
    -
    -
    ISOLATED
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2.1V
    EAR99
    2.4kW
    7
    NPN
    半桥
    Dual
    2.4kW
    2400W
    Standard
    1.2kV
    580A
    5mA
    1200V
    230 ns
    2.15V @ 15V, 450A
    720 ns
    沟渠现场停车
    无
    28nF @ 25V
    30.9mm
    106.4mm
    61.4mm
    Unknown
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