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首页 全部分类 VMO650-01F vs FMS6G10US60

VMO650-01F备选型号: FMS6G10US60

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  • 额定电流
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  • 基本部件号
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • IXYS
    VMO650-01F
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 100V 690A 4-Pin Y3-DCB
    28 Weeks
    底座安装
    底座安装
    Y3-DCB
    4
    SILICON
    690A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    HiPerFET™
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    100V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    690A
    未说明
    VMO
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5kW
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 500mA, 10V
    6V @ 130mA
    59000pF @ 25V
    2300nC @ 10V
    500ns
    ±20V
    200 ns
    690A
    20V
    0.0018Ohm
    100V
    2780A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FMS6G10US60
    ON Semiconductor
    IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
    -
    底座安装
    底座安装
    25PM-AA
    25
    -
    600V
    -40°C~150°C TJ
    Box
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    600V
    -
    -
    -
    10A
    -
    -
    -
    三相逆变器
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    66W
    三相桥式整流器
    2.7V
    10A
    250μA
    710pF
    2.7V @ 15V, 10A
    有
    0.71nF @ 30V
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