您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 VND7NV04-E vs STD80N4F6

VND7NV04-E备选型号: STD80N4F6

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 界面
  • 电源电流
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 比率-输入：输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 内置保护器
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 高度
  • 宽度
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    VND7NV04-E
    STMicroelectronics
    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    500 ns
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    OMNIFET II™, VIPower™
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    60mOhm
    Tin (Sn)
    60W
    SINGLE
    鸥翼
    260
    1
    2.25mm
    30
    VND7N
    3
    R-PSSO-G2
    1
    N-Channel
    9A
    On/Off
    100μA
    低侧
    60W
    6A
    不需要
    100μA
    Non-Inverting
    通用型
    470ns
    40V
    350 ns
    6A
    2.5V
    1:1
    20V
    36V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    40V
    9A
    60m Ω (Max)
    60mOhm
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    6.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD80N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    6MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STD80
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    70W
    -
    -
    -
    -
    -
    7.6ns
    -
    11.9 ns
    80A
    -
    -
    20V
    -
    -
    40V
    -
    -
    -
    -
    6.6mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Single
    10.5 ns
    N-Channel
    6m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2150pF @ 25V
    36nC @ 10V
    ±20V
    2.4mm
    6.2mm
    无铅
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD4685-F085 FDD4685-F085 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 40V 32A DPAK 对比
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate 对比
FDD8647L FDD8647L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比