VNP14NV04-E备选型号: STP20NF06L
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 输出的数量
- 输出类型
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 通道数量
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 元素配置
- 电源电流
- 输出配置
- 功率耗散
- 输出电流
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 开关类型
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- 故障保护
- 漏源击穿电压
- 驱动器数量
- Rds On(Typ)
- 漏源电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB18 WeeksSurface Mount, Through Hole通孔TO-220-33TO-220AB1.35 μs-40°C~150°C TJTubeOMNIFET II™, VIPower™活跃1 (Unlimited)35mOhm150°C-40°C74WVNP14N1N-Channel18A6.8V1On/Off8V6VSingle100μA低侧70W12A不需要Non-Inverting250 ns通用型350ns55V150 ns7A2.5V1:136V MaxCurrent Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage40V135mOhm (Max)35mOhm4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------------------
- MOSFET N-CH 60V 20A TO-220-Surface Mount, Through Hole通孔TO-220-33-20A Tc-55°C~175°C TJTubeSTripFET™ II不用于新设计1 (Unlimited)70mOhm---STP20N--------Single--60W---12 ns-30ns-6 ns10A3V---60V---9.15mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅NRND (Last Updated: 8 months ago)SILICONe33EAR99Matte Tin (Sn)60V20A3增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING70m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA400pF @ 25V7.5nC @ 10V±18VTO-220AB18V80A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP20NF06L | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 | 对比 |
![]() | STP45NF06 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 38A TO-220 | 对比 |
| FDP5800 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 | 对比 |



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