VRF152MP备选型号: APT10045JLL

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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans RF MOSFET N-CH 130V 20A 4-Pin Style M-174
    27 Weeks
    Screw
    M174
    4
    1
    Bulk
    2016
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    200°C
    -65°C
    50μA
    300W
    RADIAL
    FLAT
    175MHz
    SINGLE
    增强型MOSFET
    250mA
    SWITCHING
    N-Channel
    20A
    14dB
    0.2Ohm
    150W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    50V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
    19 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    21A Tc
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    -
    21A
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    SWITCHING
    -
    21A
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    底座安装
    30.000004g
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    yes
    EAR99
    UL 认证
    1kV
    4
    1
    Single
    460W
    ISOLATED
    10 ns
    N-Channel
    450m Ω @ 11.5A, 10V
    5V @ 2.5mA
    4350pF @ 25V
    154nC @ 10V
    5ns
    1000V
    ±30V
    8 ns
    30V
    1kV
    2500 mJ
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    无铅
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