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首页 全部分类 VRF152MP vs APTM50H14FT3G

VRF152MP备选型号: APTM50H14FT3G

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    VRF152MP
    Microsemi Corporation
    Trans RF MOSFET N-CH 130V 20A 4-Pin Style M-174
    27 Weeks
    Screw
    M174
    4
    1
    Bulk
    2016
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    200°C
    -65°C
    50μA
    300W
    RADIAL
    FLAT
    175MHz
    SINGLE
    增强型MOSFET
    250mA
    SWITCHING
    N-Channel
    20A
    14dB
    0.2Ohm
    150W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    50V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTM50H14FT3G
    Microsemi Corporation
    MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
    16 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    SP3
    32
    4
    Bulk
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    -
    -
    -
    208W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    SWITCHING
    -
    26A
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    符合RoHS标准
    底座安装
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    e1
    yes
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    25
    R-XUFM-X25
    1
    Single
    208W
    ISOLATED
    10 ns
    4 N-Channel (H-Bridge)
    168m Ω @ 13A, 10V
    5V @ 1mA
    3259pF @ 25V
    72nC @ 10V
    17ns
    500V
    41 ns
    30V
    500V
    Standard
    11.5mm
    73.4mm
    40.8mm
    无
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