VT6K1T2CR备选型号: MCH3481-TL-W

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡银铜
    120mW
    260
    10
    6
    2
    增强型MOSFET
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 100μA
    7.1pF @ 10V
    4ns
    20V
    38 ns
    100mA
    8V
    0.1A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    70
    SILICON
    2A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2017
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 1A, 4.5V
    900mV @ 1mA
    175pF @ 10V
    27ns
    20V
    19 ns
    2A
    9V
    2A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    yes
    DUAL
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.9nC @ 4.5V
    ±9V
    900mV
    0.104Ohm
    20V
    无SVHC
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