W25Q80DVSNIG备选型号: MX25L8006EM2I-12G
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
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- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 并行/串行
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 界面
- 密度
- 备用内存宽度
- 座位高度(最大)
- 无铅
- IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC10 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeSpiFlash®2010e3活跃3 (168 Hours)8Tin (Sn)3VDUAL未说明11.27mm未说明R-PDSO-G8不合格3/3.3V8Mb 1M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI8MX113ms0.000005A8388608 bitSERIAL3VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE3.6V2.7V85°C1.75mm4.9mm3.9mmROHS3 Compliant--------
- IC FLASH 8M SPI 86MHZ 8SOP16 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeMX25xxx05/062010-不用于新设计3 (168 Hours)8-3.6VDUAL未说明11.27mm未说明R-PDSO-G8不合格3/3.3V8Mb 1M x 8SYNCHRONOUS86MHzFLASHSPI4MX2250μs, 3ms0.00001A--2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE-2.7V--5.28mm5.23mmROHS3 Compliant8EAR998542.32.00.51SPI, Serial8 Mb12.16mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX25L512EMI-10G | Macronix | 存储器 | SOIC | IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOP | 对比 |
![]() | MX25L8006EM1I-12G | Macronix | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 8M SPI 86MHZ 8SOP | 对比 |
| MX25L8006EM2I-12G | Macronix | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 8M SPI 86MHZ 8SOP | 对比 |




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