Winbond Electronics W25Q80DVSNIG
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W25Q80DVSNIG
2736-W25Q80DVSNIG
存储器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
--最小包装量--
W25Q80DVSNIG详情
Winbond Electronics W25Q80DVSNIG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
系列
SpiFlash®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
3/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
8Mb 1M x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
104MHz
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
组织结构
8MX1
内存宽度
1
写入周期时间 - 字符、页面
3ms
待机电流-最大值
0.000005A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
SERIAL
编程电压
3V
串行总线类型
SPI
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据保持时间
20
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
环境温度范围高
85°C
高度
1.75mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
W25Q80DVSNIG拓展信息
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