W29GL128CH9C备选型号: M29W160EB70ZA6E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 电压
- 电源电流
- 密度
- 同步/异步
- 引导模块
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC FLASH 128M PARALLEL 56TFBGA14 Weeks表面贴装56-TFBGAYESNon-Volatile-40°C~85°C TATube2016Obsolete3 (168 Hours)562.7V~3.6VBOTTOM13V0.8mmR-PBGA-B56不合格3.6V1.8/3.33/3.3V2.7V128Mb 16M x 8 8M x 16ASYNCHRONOUSFLASHParallel8MX161690ns0.000005A134217728 bit90 ns3V8YESYESYES128128K8/16wordsYESYES9mm1.2mm7mmROHS3 Compliant-------------------
- MEMORY, FLASH, NOR, 16MB, B/B, 48TFBGA-表面贴装48-TFBGAYESNon-Volatile-40°C~85°C TATray1998Obsolete3 (168 Hours)482.7V~3.6VBOTTOM13V0.8mm---3/3.3V-16Mb 2M x 8 1M x 16-FLASHParallel1MX161670ns0.0001A-70 ns-8YESYESYES1213116K8K32K64K-YESYES8mm1.2mm6mmROHS3 Compliant48e1yesSMD/SMTEAR99Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)底部启动区块8542.32.00.5126030M29W160482.7V10mA16 MbAsynchronousBOTTOM无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST39VF800A-70-4C-B3KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | MICROCHIP SST39VF800A-70-4C-B3KE MEMORY, FLASH, 8M, MPF, 48TFBGA | 对比 |
![]() | M29W160EB70ZA6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | MEMORY, FLASH, NOR, 16MB, B/B, 48TFBGA | 对比 |
![]() | SST39VF1601C-70-4C-B3KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | MEMORY, FLASH, 16M, MPF, 48TFBGA | 对比 |





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