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首页 全部分类 W631GG8KB-12 vs IS43LR16800G-6BLI

W631GG8KB-12备选型号: IS43LR16800G-6BLI

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  • 终止次数
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  • 功能数量
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  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
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  • 密度
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  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 数据总线宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    W631GG8KB-12
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
    表面贴装
    78-TFBGA
    YES
    Volatile
    250mA
    0°C~95°C TC
    Tray
    2010
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    78
    AUTO/SELF REFRESH
    1.5V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    R-PBGA-B78
    1Gb 128M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    128MX8
    8
    17b
    1 Gb
    1.575V
    1.425V
    10.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43LR16800G-6BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
    表面贴装
    60-TFBGA
    -
    Volatile
    -
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    1.8V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    -
    128Mb 8M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    166MHz
    5.5ns
    DRAM
    Parallel
    8MX16
    16
    12b
    1 Gb
    1.95V
    1.7V
    10mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    14 Weeks
    表面贴装
    60
    EAR99
    16b
    15ns
    无铅
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IS43LR16800G-6BLI IS43LR16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 60-TFBGA IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 对比