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首页 全部分类 W631GG8KB-12 vs MT41K128M8DA-107:J

W631GG8KB-12备选型号: MT41K128M8DA-107:J

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 资历状况
  • 数据总线宽度
  • 输出特性
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    W631GG8KB-12
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
    表面贴装
    78-TFBGA
    YES
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    2010
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    78
    AUTO/SELF REFRESH
    1.425V~1.575V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.5V
    0.8mm
    未说明
    R-PBGA-B78
    1.5V
    1.575V
    1.425V
    1Gb 128M x 8
    1
    250mA
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    128MX8
    8
    17b
    1 Gb
    10.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT41K128M8DA-107:J
    Micron Technology Inc.
    DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
    表面贴装
    78-TFBGA
    -
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    2011
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    78
    AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    -
    1
    1.35V
    0.8mm
    -
    -
    1.35V
    1.45V
    1.283V
    1Gb 128M x 8
    1
    -
    SYNCHRONOUS
    933MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    128MX8
    8
    14b
    1 Gb
    10.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    78
    不合格
    8b
    3-STATE
    COMMON
    8192
    8
    8
    无铅
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